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Si片外延AIN薄膜
- 關(guān)鍵字：
- Si+AlN dia4
- 產(chǎn)品概述：
- Si片外延AlN膜是通過(guò)HVPE方法生長(zhǎng)，其實(shí)驗(yàn)襯底效果已日漸取代AlN單晶基片
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| 產(chǎn)品名稱
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Si片外延AlN膜 |
| 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
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Si片外延AlN膜是通過(guò)HVPE方法生長(zhǎng)，其實(shí)驗(yàn)襯底效果已日漸取代AlN單晶基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
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AlN厚度： | 200nm ±10%, 單面鍍膜 | 正面： | <2nm RMS, as-grown | 背面： | silicon as received | AlN晶向： | (00.2) | 宏缺陷密度： | <10/cm^2 | 薄膜襯底： | Si [111] N type, dia 4" x0.5 mm, res: 1~10 ohm-cm, 單拋 |
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| 常規(guī)尺寸
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dia 4" x0.5 mm,單拋 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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