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Al2O3+AlN薄膜
- 產品概述：
- AlN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法，用來取代氮化鋁單晶襯底。科晶真誠歡迎您的垂詢！
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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氮化鋁(AlN)薄膜 |
| 產品簡介
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AlN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法，用來取代氮化鋁單晶襯底。科晶真誠歡迎您的垂詢！
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| 技術參數
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藍寶石襯底取向： | c軸（0001)±1.0deg | 襯底： | Al2O3;SiC;GaN； | 薄膜厚度： | 10-5000nm | 導電類型： | 半絕緣型 | 位錯密度： | XRD FWHM of <0002><500arcsec； XRD FWHM of <10-12><1500arcsec; | 有效面積： | >80% |
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| 產品規格
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氮化鋁(藍寶石襯底)：dia2"±1mm x1500nm±10%，單拋； 注：可根據客戶需求定制特殊的方向和尺寸。
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| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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