- 加熱爐設(shè)備
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Ti+SiO2+Si+Au薄膜
- 產(chǎn)品概述：
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| Silicon Wafer Specifications
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Film: Au/Ti/ SiO2 on Si substrate Resistivity: 1-20 ohm.cm Substrate Size: 4" diameter +/- 0.5 mm x 0.525 mm Polish: one side polished Surface roughness: < 10 A RMS Maximum Thermal Budget of Au film: below 200 degree C
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