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A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測設(shè)備根據(jù)應(yīng)用尋找設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
晶體及材料
破碎/球磨設(shè)備
壓片設(shè)備
輥壓設(shè)備
切割設(shè)備
磨拋設(shè)備
清洗設(shè)備
電池研發(fā)設(shè)備
薄膜制備
配件
其它實驗室設(shè)備

熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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Si+Cu薄膜

產(chǎn)品概述：

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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情

Specifications

· Cu coated Si Wafer (4 inch size)

· Thickness of highly oriented polycrystalline Cu <111> film: 400 nm

· 4 inch dia x0.525 mm thickness Si wafer (Prime Grade)

· P type, B doped, <100> orientation, SSP

· Resistivities: 1-20 ohm-cm

· Surface Roughness: as grown , N/A

· Package: One 1000 class clean room with 100 class plastic bag

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