- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
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- 磨拋設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
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- 其它實驗室設(shè)備
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| Specifications
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· Wafer Size: 4" diameter x 0.5mm · Si wafer Orientation: (100) + / - 0.5o · Insulating Layer: SiO2 · Diamond film thickness: 2 micron; Oxide Layer: 1 micron · Resistivity: <0.1 ohm-cm · Surface Roughness: as grown, RA < 10 nm · Package: One 1000 class clean room with 100 class plastic bag
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