- 加熱爐設備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設備
- 壓片設備
- 輥壓設備
- 切割設備
- 磨拋設備
- 清洗設備
- 電池研發設備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設備
GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
- 產品概述：
- 2英寸直徑、有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD)沉積在未摻雜的GaAs （半絕緣）（100）晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
|
基底： | 砷化鎵取向： | （100） | 摻雜與絕緣： | 未摻雜，半絕緣 | 晶圓尺寸： | 2英寸直徑 | 電阻率： | 1x10^7ohm.cm | 拋光： | 單面拋光 | EPD： | ＜1x10^4 /cm^2 | 外延薄膜： | 第一層： | 薄膜厚度1.0um 晶格匹配： Al(0.25)Ga(0.75）As: (100) | 第二層（最上層）： | 頂層：GaAs膜厚130nm GaAS N型號摻Si | 背面： | 背面我們可以預期沉積，但是我們不能保證表面相同的質量和粗糙度 |
摻雜元素 | 類型 | 載流子濃度( cm-3) | 流動性( cm2/V.Sec) | 電阻率( ohm-cm ) | EPD(cm-2) | 未摻雜 | N | 7.5-9.5 x1015 | 4300-4400 | 1.6E-1-4.5E-1 | <5000 | Sn | N | 0.5~1.0 x1018 0.5~1.0 x1018 | 200 ~ 2400 1500 ~ 2000 | 0.001~0.002 0.0025~0.007 | 3~5 x104 | Zn | P | 0.8~2.0 x1018 2.5~4.0 x1018 | 2500 ~ 3500 1300 ~ 1600 | 0.0025~0.006 | 1~3 x104 | Fe | 半絕緣 | N/A | 1550-1640 | (2.1-2.7)x107 | <5000 |
|
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
查看誠信檔案
皖公網安備 34012302000974號
