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Al2O3+GaN薄膜
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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Al2O3+GaN薄膜 （國產） |
| 產品簡介
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| 技術參數
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摻雜類型： | N type | 半絕緣型 | P type | 產品定位邊： | C軸 | 常規尺寸： | dia2" | dia2" | dia2" | 厚度： | 15um,20um,30um,40um | 30um,90um | 4um, 5um | 電阻（300K)： | <0.05Ω.cm | >106 Ω.cm | <0.05Ω.cm | 位錯密度： | <1x108 cm-2 | <1x108 cm-2 | <1x108 cm-2 | 襯底結構： | GaN on Sapphire | GaN on Sapphire | GaN on Sapphire | 有效面積： | >90% | >90% | >90% | 拋光： | 單拋或者雙拋 | 單拋或者雙拋 | 單拋或者雙拋 |
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| 產品規格
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常規規格：dia2 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋或單片盒包裝 |
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