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AL2O3+GaN薄膜
- 關(guān)鍵字：
- P型摻Mg， R：3-5Ω-cm
- 產(chǎn)品概述：
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| 產(chǎn)品名稱
|
Al2O3+GaN外延薄膜（Mg-doped?P-type?GaN?Epitaxial?Template?on?sapphire）
|
| 技術(shù)參數(shù)
|
Al2O3參數(shù)： | c-Axis (0001) off angle 0.2O±0.1 @ M-plane，dia50.8 mm ± 0.25 mm,單拋 | GaN厚度： | 3.0 um +/- 10% | 電阻率： | 3- 5 Ω-cm | 載流子濃度： | 1x10^17 ~3x10^18/cm3 | 空穴遷移率： | 20cm-2/V | RMS： | <1nm | FWHM of RC for(002)： | ~~350 arcsec | FWHM of RC for(102)： | ~~450 arcse |
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室100級超凈袋真空包裝和單片盒裝 |
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