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Si+GaN薄膜
- 關鍵字：
- dia4"進口料
- 產品概述：
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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Si片外延GaN膜?dia4" |
| 產品簡介
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| 技術參數
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GaN厚度： | 0.5μm ± 0.1 μm | Ga面參數(Ga-face)： | <1nm RMS, As-grown, Epi-ready | 背面參數： | as received | GaN晶向： | C-plane (00.1) | 極性（Polarity）： | Ga-face | 導電類型： | Undoped (N-) | 宏缺陷密度： | <5/cm^2 | Si基底參數： | Si [111], N?/P?，R:?1-5?ohm-cm； 或?P/B?R<0.005?ohm.cm； |
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| 產品規格
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dia4"x 0.525mm，單拋 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋真空包裝和單片盒裝 |
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