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Ge on Si 外延薄膜
- 關(guān)鍵字：
- P型摻B
- 產(chǎn)品概述：
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| 產(chǎn)品名稱
|
Ge?on?Si薄膜（P型摻B?Ge?epi-film?on?P-type?Silicon） |
| 產(chǎn)品簡介
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| 技術(shù)參數(shù)
|
Si基板參數(shù)： | 摻雜類型： | P型摻B ; | 晶向： |
| 尺寸: | dia4" | 厚度： | 0.5-0.55mm | 電阻率： | 10-20Ω.cm | Ge 外延薄膜參數(shù)： | 厚度： | 2um±3% | 晶向： | | 摻雜： | N型 | 摻雜濃度： | （1-5）E19/cc |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
dia4"x0.5mm；10x10x0.5mm |
| 標準包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋真空包裝和單片盒裝 |
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