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氮化鋁(AlN)陶瓷基片
- 產品概述：
- 熱導率高，電性能好，熱脹系數與Si片接近，無毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料。主要應用于高密度混合電路、微波功率器件、半導體功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導體制冷等產品中作高性能基片材料和封裝材料。
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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氮化鋁(AlN)陶瓷基片
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| 產品簡介
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熱導率高，電性能好，熱脹系數與Si片接近，無毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料。主要應用于高密度混合電路、微波功率器件、半導體功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導體制冷等產品中作高性能基片材料和封裝材料。
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| 技術參數
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型號 | SD5111 | SD5113 | SD5115 | SD5116 | 密度： | >3.2 | >3.25 | >3.25 | >3.26 | 熱導率： | 80~100 | 100~130 | 140~170 | >170 | 熱膨脹系數： | <4.5 | <4.3 | <4.3 | <4.2 | 耐電強度： | >15 | >15 | >15 | >15 | 介電系數 | 9.0 | 8.7 | 8.7 | 8.7 | tgδ | 3~10 | 3~7 | 3~7 | 3~7 | 體電阻率 | >1013 | >1014 | >1014 | >1014 | 抗折強度 | >20 | >25 | >28 | >30 |
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| 產品規格
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常規尺寸：2"x2"x 0.5mm，單拋或雙拋； 10x10x0.5mm，單拋或雙拋； 純度：>99％； 表面粗糙度Ra< 100A； 注：可按客戶需求定制特殊的方向和尺寸。
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| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋包裝
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