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A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測設(shè)備根據(jù)應(yīng)用尋找設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
晶體及材料
破碎/球磨設(shè)備
壓片設(shè)備
輥壓設(shè)備
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清洗設(shè)備
電池研發(fā)設(shè)備
薄膜制備
配件
其它實驗室設(shè)備

熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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6工位小型連續(xù)離子層反應(yīng)吸附吸附系統(tǒng)

關(guān)鍵字：: SILAR
型號：: PTL-SC-6-LD
產(chǎn)品概述：: PTL-SC-6是一款自動連續(xù)離子層吸收反應(yīng)（SIAR）制膜系統(tǒng)，與手動操作相比，避免了實驗中的人為誤差，因為SIAR制膜法需多次對樣品進行重復(fù)提拉，所以手動很難控制其提拉的重復(fù)性。此款設(shè)備采用自動化控制，客戶可設(shè)置提拉速度、循環(huán)次數(shù)和時間。
?
? ? PTL-SC-6擁有6個可程序設(shè)置的樣品臺，可設(shè)置浸漬速度、浸漬時間、提取速度，干燥時間以及加熱溫度（最高溫度可達到80℃）。此款設(shè)備專門這對于用連續(xù)離子層反應(yīng)吸附法(SILAR）來制作薄膜，此方法涉及到對基片多次在反應(yīng)溶液和去離子水中浸漬，并且還用控制溶液的溫度。

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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情

驅(qū)動電機	步進電機
視頻	操作視頻
驅(qū)動機構(gòu)	導(dǎo)螺桿
浸漬時間	0-99s/min/hour
速度控制	可在儀表上設(shè)置速度，速度范圍為：1～999um/s或1～12mm/s
循環(huán)次數(shù)	1～999
輸入電源	208-240VAC, 50/ 60Hz 最大功率：600 W
最大行程	75mm
樣品臺	儀器中配有3個樣品夾配有6個150ml的燒杯（點擊圖片查看詳細資料）
控制單元	速度控制，用一LED觸摸屏控制溫度控制用一數(shù)顯表控制，控溫精度+/-1°C，最高溫度可到80℃ 控制面板上帶有RS232接口可選購控制軟件，可通過電腦操作（與Window 8匹配）
儀器尺寸
凈重	約23kg
質(zhì)保期	一年質(zhì)保期，終身維護

操作視頻

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