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4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型
- 關鍵字：
- 4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type
- 產(chǎn)品概述：
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技術參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型（4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type)
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| 常規(guī)尺寸
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dia4" ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm
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| 技術參數(shù)
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4H-SiC薄膜晶向： |
| 4H-SiC薄膜厚度（film target thickness)： | 4.3um ±10% | 4H-SiC薄膜厚度（film target doping layer) ： | 1.4E17/cc +0% /- 30% | 載流子濃度： | (3~ 10)E16 /cc | 導電類型： | P型 | 拋光情況： | 雙面拋光 | 4H-SiC基片晶向: | （10-10）； OF length: 15.9 +/- 1.7 mm | 4H-SiC基片尺寸： | dia 2 inch x330±25un | IF orientation : | 90 degree cw. from OF +/- 5 degree | IF length: | 8.0 +/- 1.7 mm | 4H-SiC基片電阻率: | < 0.03 ohm-cm | 4H-SiC拋光： | Si面CMP單拋 | 邊緣排除： | 1mm |
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| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋真空包裝或單片盒裝
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