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| 技術參數
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基底 | Si，<100> ，P型摻B，4"x~525um，1sp | 膜層 | ZnO膜：c軸，晶向：<001> ZnO = 150nm Au膜：晶向：<111> Au = 150nm Cr（膠層）= 20-40nm | 電阻率 | 1-10 ohm.cm | 基材尺寸 | 4"± 0.5 mm x 0.5 mm | 拋光情況 | 單拋 | 表面粗糙度 | Ra<20 A RMS |
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