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氮化鎵(GaN)晶體基片
產品概述:
GaN易與AlN、InN等構成混晶,能制成各種異質結構,已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG(因為2-DEG面密度較高,有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
技術參數

制作方法:

HVPE(氫化物氣象外延法)

傳導類型:

N型;半絕緣型

電阻率:

R<0.05 Ω.cm; R

表面粗糙度:

<0.5nm

位錯密度:

<5x106Ω.cm

可用表面積:

>90%

TTV:

≤15um

Bow:

≤20um

產品規格

晶體方向: 

注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。

標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝

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