- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
Cd1-xZnxTe晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- II - VI族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶，購買前請(qǐng)與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體名稱 | Cd 1-x ZnxTe | 生長(zhǎng)方法 | Bridgeman | 結(jié)構(gòu) | 立方 | 晶格常數(shù)(A) | a = 6.483 – 6.446 | 密度 ( g/cm3) | 5.605 | 熔點(diǎn) (oC) | 1975 | 熱容 (J /g.k) | 0.125 | 熱膨脹系數(shù)(10-6/K) | 6.5 // a 3.7 // c | 類型 | P-型 | 導(dǎo)熱系數(shù)( W /m.k at 300K ) | 30 | 透明波長(zhǎng)（μ） | 0.4 ~ 0.6 | 電阻率（ohm-cm） | 低 R: 5x104 高: R:> 106 | 載體濃度（cm-3） | 低 R: ~ 1015 高: R: ~ 1012 |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向：<111>； 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm； 拋光情況：細(xì)磨、單拋、雙拋； 常規(guī)電阻率:R>1x10^6 Ω.cm； 注：可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋 |
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶，購買前請(qǐng)與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號(hào)
查看誠信檔案
