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Ga:ZnO晶體基片
- 產品概述：
- II?-?VI族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質和大范圍的透明度以及一個帶隙,為有趣的設備提供了廣泛選擇的可能性。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數
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晶體結構: | 六方 a=3.252A , c=5.313A | 生長方法: | Melt | 硬度: | 4 mohscale | 密度: | ~5.0g/cm3 | 熔點: | 1975oC | 帶隙: | 3.37eV | 比熱容: | 0.125cal/gm | 傳導性: | N type | 電阻率: | 0.04ohm-cm +/- factor of 2 , N type | 導熱系數: | 0.006cal/cm/ oK | 熱膨脹系數: | 2.90x10-6/oK | 位錯密度: | <4x104/cm2 | 表面粗糙度: | <5A | 厚度: | 0.35mm; 0.50mm and 1.0mm |
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| 產品規格
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Ga:ZnO <0001> N+ type，鎵摻雜，10x10x0.5mm、鋅面拋光； Ga:ZnO <0001> N+ type，鎵摻雜，5x5x0.5mm、鋅面拋光 ； 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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皖公網安備 34012302000974號
