- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
氧化鋯(YSZ)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 氧化鋯（ZrO2）由于ZrO2單晶需摻入釔（Y）以穩(wěn)定其結(jié)構(gòu)， 一般實際使用的是YSZ單晶――加入釔穩(wěn)定劑（含量約19%）的氧化鋯單晶。它機械、化學穩(wěn)定性好，價格較低因而得以廣泛應(yīng)用。
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu) | 立方 | 晶格常數(shù) | a = 5.125 ? | 密度 | 5.8 g / cm3 | 純度 | 99.99% | 熔點 | 2800 oC | 熱膨脹系數(shù) | 10.3 x10-6/ oC | 介電常數(shù) | 27 | 晶體生長方法 | 弧熔法 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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<100>, <110>, <111>公差：+/-0.5度 dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm 單拋或雙拋，Ra<5A 注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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