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硅酸鉍(Bi12SiO20)晶體基片
- 產品概述：
- 硅酸鉍(Bi12SiO20)晶體基片簡稱(BSO)是聲表面波器件、體聲波器件、全息記憶以及電光器件的極好材料。
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術參數(shù)產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數(shù)
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晶向： | <100>,<110> | 晶體結構： | 立方 | 晶格常數(shù)： | a=10.146? | 生長方法： | 提拉法 | 熔點： | 930℃ | 密度： | 9.2g/cm3 | 莫氏硬度： | 4.5 Mohs | 介電常數(shù)： | εS11/ε0 42.7、εT11/ε0 47.5 | 彈性勁度系數(shù)( x1011N/m2)： | CE11 1.33、CE44 0.25 | 壓電應變常數(shù) (C/m2)： | e14 1.01 | 透過范圍 (nm)： | 470~7500 | 電光系數(shù) (x10-12m/V)： | r41 5 | 折射率： | 2.45 @ 632.8nm | 折射率梯度 (x10-5/cm)： | ≤5 @ 632.8nm | 旋光性 (mm-1)： | 左邊20° @632.8nm | 透光性 (%)： | 69 @632.8nm |
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| 產品規(guī)格
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常規(guī)晶向：<100>、<001>； 常規(guī)尺寸:5x5x0.5mm、10x10x0.5mm； 拋光情況：細磨、雙拋; 注：可按照客戶要求加工尺寸和晶向 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋包裝 |
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