- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
Si+SiO2+TiO2+Pt 基片
- 產(chǎn)品概述：
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
Si摻雜類型： | N型不摻雜 | P型摻B | 電阻率： | >2000ohm.cm | 1-20 ohm.cm | 薄膜厚度： | SiO2=300nm TiO2=20nmPt(111)=150nm |
|
| Maximum?Thermal Budget?of?Pt? film:
|
<800-850 degreeC/1hr
|
| 常規(guī)尺寸
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dia4"+/- 0.5 mmx0.525 單拋；10x10mm 注：可按照客戶要求加工尺寸 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋真空包裝或單片盒裝 |
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