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雙爐體滑動PECVD系統(tǒng)&循環(huán)手套箱
型號:
OTF-1200X-PESDFG-50
產(chǎn)品概述:
OTF-1200X-PESDFG-50是一款雙爐體滑動的PECVD系統(tǒng),連接循環(huán)手套箱。此款設備中石英爐管與循環(huán)手套箱連接,可利用CVD方法,將樣品處理后直接移入到氣氛保護環(huán)境下的手套箱中。爐體采用滑動式,可在實驗室中對樣品進行快速加熱和快速冷卻。此款儀器特別適合新一代納米材料和二維晶體材料的探索研究。
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技術參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
設備名稱

雙爐體滑動PECVD系統(tǒng)&循環(huán)手套箱—OTF-1200X-PESDFG-50 (2019.12.18—科晶實驗室審核)

產(chǎn)品提示

1、多種配件可選提示   2、特殊設備尺寸設備   3、科晶實驗室邀請?zhí)崾?/strong>   4、配件妥善保管提示

產(chǎn)品特點

? 真空法蘭在手套箱的左邊,與PECVD系統(tǒng)的石英管連接;

? 兩個爐體在一個滑軌上,可通過爐體的滑動達到對樣品快速加熱和快速冷卻的效果。

加熱爐參數(shù)

? 連續(xù)工作溫度:1100℃

? 兩個爐體都可設置50段升降溫程序

? 高純氧化鋁纖維作為爐膛材料(表面涂有高溫氧化鋁涂層,可提高加熱效率延長爐膛使用壽命)

? 電源:AC220,50Hz   最大功率:3KW


加熱爐圖.jpg       溫控儀表.JPG



更多參數(shù)請聯(lián)系科晶銷售部

手套箱參數(shù)

? 帶有除水系統(tǒng):保持水含量< 2 ppm

? 真空法蘭在手套箱的左邊,與PECVD系統(tǒng)的石英管連接


手套箱照片.jpg

射頻電源

? 科晶公司現(xiàn)有不同功率的射頻電源可供選擇,以滿足不同實驗條件的需求。



300W射頻電源

500W射頻電源

100W射頻電源

輸出功率

0-300W可調

(穩(wěn)定性:±1%)

0-500W可調

(穩(wěn)定性:±1%)

0-100W可調

(穩(wěn)定性:±1%)

射頻頻率

13.56 MHz

(穩(wěn)定性:±0.5%)

13.56 MHz

(穩(wěn)定性:±0.5%)

13.56 MHz

(穩(wěn)定性:±0.5%)

匹配

自動匹配

自動匹配

手動匹配

噪音

<50dB

<50dB

<50dB

冷卻方式

風冷

風冷

風冷

輸入電壓

AC180-250V

AC108-250V

AC110-240V

圖片

圖片2.jpg 

圖片3.jpg 

圖片4.jpg
真空系統(tǒng)

? 采用TRP-12的雙旋真空泵;

? KF25卡箍及波紋管用于連接管式爐與真空泵;

? 真空度可達10-2Torr。


圖片5.jpg

供氣系統(tǒng)

? 四通道質子流量計控制系統(tǒng)可實現(xiàn)氣體流量的精確控制(精確度:±0.02%);

? 流量范圍:


一路

0-100 sccm

二路

0-200 sccm

三路

0-200 sccm

四路

0-500 sccm


? 電壓:208-240V, AC, 50/60Hz;

? 氣體進出口配件:6mm OD的聚四氟管或不銹鋼管;

? 不銹鋼針閥用于手動控制氣體進出;

? PLC觸摸屏可以簡便地進行氣體流量設置。


圖片6.jpg      圖片7.jpg

產(chǎn)品尺寸

? 爐體尺寸:1600mm(L) ′430mm (W) ′ 500mm(H)

? 手套箱尺寸:780mm(L)′ 700mm(W) ′ 650mm(H)

爐子尺寸.jpg    手套箱尺寸圖.jpg

認證

? 如您另外付費,我們可以保證單臺儀器的TUV(UL61010)或CSA 認證


圖片1.png

承諾

? 一年質保期,終身維護(不包括爐管、硅膠密封圈和加熱元件)

科晶應用技術實驗室利用PECVD在不同功率(75W、150W、300W)條件下沉積Sb2Se3薄膜,實驗結果如下:


圖片1.jpg


組別

SEM結果

元素百分比



Sb (%)

Se(%)

未經(jīng)任何處理的樣品

1.jpg

2.jpg

40.01

59.99

等離子體處理

3.jpg

4.jpg

41.04

58.96

等離子體處理 min

5.jpg

6.jpg

41.64

58.36

等離子體處理5 min

7.jpg

8.jpg

41.86

58.14

小結:

(1)等離子體能改變Sb2Se3薄膜的形貌,同時改變Sb2Se3的組成;

(2)隨著射頻電源功率的增加,Sb2Se3中的Se百分含量降低。





組別

SEM結果

元素百分比



Sb (%)

Se(%)

10W、條件下沉積Sb2Se3

1.jpg

2.jpg

40.01

59.99

75W、條件下沉積Sb2Se3

3.jpg

4.jpg

70.28

29.72

75W、3Pa且補充0.1g Se粉沉積Sb2Se3

5.jpg

6.jpg

43.13

56.87

75W、且補充2粉末(10%質量比Sb2Se3)沉積Sb2Se3

7.jpg

8.jpg

Sn: 22.78 Sb: 25.77

51.44

小結:

(1)低功率等離子體條件下可得到近原子比的Sb2Se3;

(2)高壓條件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜;

(3)添加Se會破壞PECVD沉積的Sb2Se3的原子比;

(4)當SnSe2質量比為10%時,可以得到Sb:Sn摩爾比接近于的薄膜,該方法適用于摻雜。


XRD結果


圖片2.jpg


pecvd.png


警示

? 爐管內氣壓不可高于0.02 MPa;

? 由于氣瓶內部氣壓較高,所以向爐管內通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全;

? 石英管的長時間使用溫度<1100℃;

? 當爐體溫度高于1000℃時,爐管內不可處于真空狀態(tài),爐管內的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態(tài);

? 此手套箱并非為高真空設計,真空度過高會使手套箱變形;

? 橡膠手套不可以在真空狀態(tài)下操作,真空處理是為了去除手套箱內的水和氧;

? 最大正壓:1.1 atm(注意:如果手套箱內的氣壓高于1.1atm時,不可以操作橡膠手套)。

應用技術提示

? 通入爐內氣體流量需小于200 sccm,以避免冷的大氣流對加熱石英管造成沖擊;

? 加熱時,不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥。若需要關閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02 MPa,需立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂、法蘭飛出等)。

防腐型真空表

(可選)

? 輸入電源24V,1A  DC(配有電壓轉換器);

? 測量范圍3.8′10-5-1125 Torr;

? 數(shù)據(jù)顯示:數(shù)顯(屏幕尺寸為20′14mm),其單位為torr

? 連接:1/8"NPT 接頭

? 產(chǎn)品尺寸 46mm×28mm×126mm ( L′W′ H)


配件壓力表.jpg

爐管

? 高純石英管,尺寸50mm O.D ′44mm I.D ′1800 mm L


配件爐管.jpg

溫儀表

(可選)

? 單回路、雙回路和三回路控制模式;

? 每個回路可實現(xiàn)雙輸入,雙保護;

? 各回路可PID、串級、比率等回路控制;

? 數(shù)碼顯示,配備7個按鍵,可用于進行各控制回路的切換和參數(shù)修改;

? 最多可存儲50個程序,每個程序最多可有3個不同的設定值(即3條不同的曲線),最多可設置500段升降溫程序;

? 通訊方式多樣,Modbus/Profibus DP/DeviceNet/EI-Bisync/RS485通訊接口,可連接PC進行遠程控制。

圖片1.jpg

真空系統(tǒng)

(可選)

? 科晶公司提供一系列低真空、高真空及進口高真空設備,以滿足在不同真空條件下的實驗需求。


低真空系統(tǒng)

國產(chǎn)高真空系統(tǒng)

進口高真空系統(tǒng)

低真空系統(tǒng).png

高真空.jpg

進口高真空.png

                   

供氣系統(tǒng)

(可選)

? 科晶公司提供各種通道浮子、質子流量計可供選擇,以實現(xiàn)氣體流量的精確控制。


單通道浮子

單通道質子

兩通道浮子

兩通道質子

多通道浮子

(防腐)

1通道浮子.jpg

1通道質子.jpg

2通道浮子.JPG

2通道質子.jpg

3通道浮子(防腐).jpg


公司環(huán)境

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合肥科晶品牌紀錄片                                     公司環(huán)境

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