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AlN薄膜
- 產品概述：
- 纖鋅礦結構的AlN(氮化鋁)的禁帶寬度為6.2eV,具有高熱導率、高電阻率等優異性能,與高Al組份的AlGaN材料晶格失配小,是一種研制紫外、深紫外光電器件、高溫大功率電子器件和高頻微波器件的理想材料。紫外LED在生化探測、殺菌消毒、聚合物固化、無線通訊及白光照明等領域都有重大應用價值。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 基本參數
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Item | AlN-T-C-C50 | Dimension | Ф 50.8 ± 0.2 mm | Thickness/Thickness STD | 1-5μm±10%/<3% | Orientation of AIN | C-plane (0001) off angle toward A-axis 0.2±0.1° | Orientation Flat of AIN | （1-100）0±0.2°，16±1mm | Conduction Type | Semi-Insulating | XRD Crystal Quality | [1,2)μm | [2,3)μm | [3,4)μm | [4,5)μm | (0002)FWHM(arcsec) | ≤80 | ≤100 | ≤120 | ≤160 | (10-12)FWHM(arcsec) | ≤650 | ≤550 | ≤450 | ≤400 | Structure | ~1-5AIN/~20nm AIN buffer/430±25μm sapphire | Edge Exclusion | ≤2.5μm | Through Crack | None | Orientation of sapphire | C plane(0001) off angle toward M-axis 0.2±0.1° | Orientation Flat of sapphire | (11-20)0±0.2°，16±1mm | Sapphire Polish | Single side polished(SSP)/Double side polished (DSP) | Package | Packagesd in a cleanroom in containers |
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