- 加熱爐設備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設備
- 壓片設備
- 輥壓設備
- 切割設備
- 磨拋設備
- 清洗設備
- 電池研發設備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設備
C晶體
- 產品概述：
- CVD金剛石是用化學氣相沉積方法制備的金剛石。在晶體生長過程中，通常將純凈的甲烷、氫氣等氣體通入設備反應容器內，通過條件控制，碳原子被分解并在基板表面沉積形成晶體結構，最終形成人造金剛石。這種方法合成金剛石通常具有高純度、均勻性和可控性。不同于天然金剛石和高溫高壓法(HPHT)制備的金剛石，CVD更適合制備大面積金剛石晶體、晶圓和薄膜，應用于光學、散熱、量子信息、半導體等工業、科研領域。
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 電子級單晶金剛石參數表
|
電子性能 | 數據 | 折射率（590nm）
| 2.4
| 電子遷移率(cm2/V.S) | 4500 | 空六遷移率(m2N S) | 3800 | 含量 (EPR測得) | <5ppb | 硼含量 | <1ppb |
電子性能 | 數據 | 電阻率(2.cm) | >100 | 介電常數 | 5.5 | 介電損耗 | <2x104 |
熱學性能 | 數據 | 熱導率(300KWm:K) | 1000~2200 | 熱膨脹系數(x10-rC) | 1(室溫) |
機械性能 | 數據 | 斷裂強度 | 2.5-3GPa | 斷裂韌性(MPam') | 1~8 | | 楊氏模量 | 1050GPa | | 硬度 | 70~120 GPa | | 摩擦系數 | 0.1 |
|
| 檢測
|
| 品名規格 | 實驗室培育金剛石 | 尺寸規格 | 10mm*10mm*0.4m | 工藝方法 | MPCVD | 外觀標準 | 清晰無雜質 |
序號 | 項目 | 檢測工具/結果 | 判定OK/NG | 備注 | 1 | 長*寬 | 卡尺 |
| 0K |
| 2 | 橫向公差 |
| +0.2/--0mm |
|
| 3 | 厚度尺寸 | 卡尺 | >0.3mm | 0K |
| 4 | 厚度尺寸 |
| +0.01/-0.02mm |
|
| 5 | 表面切痕 | 目測 | 無 | 0K |
| 6 | NV值檢測 | 拉曼光譜儀 | 2,2 | 0K |
| 7 | 多晶檢測 | 60倍被光鏡 | 無 | 0K |
| 8 | 透光性 | 強光手電 | 能穿透 | 0K |
| 9 | 重量 | 電子秤 | 0.10g | 0K |
| 10 | 摻雜量 | N、B | 無
| N/A
|
| 11 | 晶體學 | 通常100%單扇區(100) | 0K |
| 12 | 橫向尺寸測量 | 向較小的一側 | 0K |
| 13 | 邊緣、邊緣 | 激光切割，邊緣 | 0K |
| 14 | 面朝向 | (100)大面朝向 | 0K |
| 15 | 邊緣激光切0 | 3°
| 0K |
| 16 | 第12面粗拋光糙度，Ra | 拋光，Ra<30nm | 0K |
|
|
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
查看誠信檔案
皖公網安備 34012302000974號
