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La3Ga5SiO14 硅酸鎵鑭單晶
- 產(chǎn)品概述：
- 硅酸鎵鑭（Langasite）是一種屬于鎵鍺酸鹽家族的壓電晶體，具有32對稱類，其化學式為La3Ga5SiO14。該晶體采用直拉法生長，主要用于制造表面聲波器件、直接壓電效應傳感器和體聲波器件的晶圓。由于硅酸鎵鑭無熱釋電效應、性能無滯后、在熔點溫度（1470°C）以下不發(fā)生相變，且存在溫度補償切型，其特性在電信號受溫度影響顯著的應用場景中表現(xiàn)優(yōu)異，因而被廣泛采用。
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技術參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱型號
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·La3Ga5SiO14 硅酸鎵鑭晶體基片
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| 技術參數(shù)
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密度： | 5.74 g/cm3 | 熔點： | 1470℃ | 硬度： | 6.6 mohs | 介電常數(shù)： | ε11=19 ε33=50 | 壓電應變常數(shù)： | d12=6.1 d14= 5.4 | 電磁耦合系數(shù)(BAW)： | 15.8 % | 電磁耦合系數(shù)(SAW)： | 0.34 % | 生長方法： | 提拉法 |
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| 常規(guī)尺寸
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·dia2〞x 0.4 mm
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| 晶體缺陷
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·人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷
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| 標準包裝
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·1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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