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A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測設(shè)備根據(jù)應(yīng)用尋找設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
晶體及材料
破碎/球磨設(shè)備
壓片設(shè)備
輥壓設(shè)備
切割設(shè)備
磨拋設(shè)備
清洗設(shè)備
電池研發(fā)設(shè)備
薄膜制備
配件
其它實驗室設(shè)備

熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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雙工位定向儀

型號：: DX-7B
產(chǎn)品概述：: DX-7B是一款精密晶體切割設(shè)備。該設(shè)備是雙側(cè)工作臺，可同時進行操作，用于對晶棒及晶片的角度測量。

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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情

電源/功率

·單相交流220V，50Hz，整機總耗電功率不大于0.3 KW 。

構(gòu)造

·設(shè)備分為落地式一體機。

工作臺

·可根據(jù)客戶需要，任選以下2種樣品臺進行組合，也可以雙側(cè)一樣。
	樣式1	樣式2	樣式3
功能	可測量晶棒的端面和柱面，也可以測量晶片。	帶有六方型刻度貼片板，可測量晶片端面	可測量晶片參考邊
被測晶體尺寸	2-6寸晶棒、長度L≤320mm， 2-6寸晶片。	2-6寸晶棒、長度L≤100mm， 2-6寸晶片。	2-6寸晶片。
工作臺圖片
配套夾具	①V型夾具（測量晶棒端面時使用） ②底板（測量有參考面的晶棒端面時使用）	無需夾具	無需夾具
·以上是常見工作臺，也可以根據(jù)被測的晶體尺寸，及晶體被測方位來特殊設(shè)計。

精度

·設(shè)備綜合精度為±30″（以供方提供的標(biāo)準(zhǔn)石英片10ī1面測量）

·最小讀數(shù)：1″。

儀器配置

·DX-7B型X射線單晶定向儀由機臺、管套及各種機械附件組成的機械部分；由穩(wěn)壓器、控制器、高壓變壓器、放大器、計數(shù)器、風(fēng)冷電機、X射線管及各種指示儀表組成的電氣部分構(gòu)成。

X射線發(fā)生器

·X射線管：銅靶，風(fēng)扇冷卻，陽極接地。

·最大管電壓：30KVP，全壓合閘。

·管電流：0—5mA 連續(xù)可調(diào)，使用2.0mA以上，有可能損壞X光管并加大輻射危害。

角度測量范圍

·2θ角：－10～+120° θ角:-5～+60°。

外形尺寸

·1132（長）×642（寬）×1200（高）mm。

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